Infineon Technologies AG lanza la nueva familia 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT mas eficiente.
05/02/21- Infineon ha lanzado la nueva familia de componentes discretos 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT.
La familia de productos híbridos CoolSiC™ combina las ventajas clave de la tecnología TRENCHSTOP™ 5 IGBT de 650V y la estructura unipolar de los diodos CoolSiC™ de barrera Schottky coempaquetados. Con frecuencias de conmutación superiores y pérdidas de conmutación reducidas, los dispositivos son especialmente adecuados para convertidores de potencia DC-DC y corrección del factor de potencia (PFC).
Suelen encontrarse en aplicaciones como infraestructuras de carga de baterías, soluciones de almacenamiento de energía, inversores fotovoltaicos, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), así como sistemas de alimentación conmutada (SMPS) para servidores y telecomunicaciones.
Ofrecen una reducción de hasta el 60% de Eon encendido y del 30% Eoff apagado en comparación con una solución basada en diodo de silicio estándar. Por otra lado, la frecuencia de conmutación puede aumentarse al menos en un 40% sin cambiar los requisitos de potencia de salida.
Una mayor frecuencia de conmutación permitirá reducir el tamaño de los componentes pasivos y, por tanto, el coste de la factura de materiales. Los híbridos IGBT pueden utilizarse como sustitutos directos de los IGBT TRENCHSTOP™ 5, lo que permite una mejora de la eficiencia del 0,1% por cada 10 kHz de frecuencia de conmutación sin necesidad de rediseño.
Fuente: https://www.infineon.com